提高結晶設備使用中結晶純度的措施
在結晶設備的使用過程中，我們需要采取一些必要的措施來提高設備的結晶純度，接下來小編就簡單為大家介紹一下。
1、在操作結晶設備的過程中，控制結晶設備內的過飽和度處于介穩區內，混合對過飽和度和晶核的形成有重要的影響，它是結晶設備設計的基礎。
2、選擇合適的過飽和度使晶核生長的速率大。
3、優化結晶設備的混合能量的輸入，這個過程產生的過飽和度被晶體的生長所消耗而到達狀態，這樣就完成了一個循環，如果在一個周期里過飽和度沒有完全消耗則下一周期將會進一步飽和，一段時間后，整個周期將遠離甚至高于介穩區，這將對晶體增長和成核產生不利影響，因此，為過飽和的液體提供足夠多的會以及足夠的結晶表面是非常重要的。否則，晶粒形狀將遭受破壞。
與此同時，為了有效延長結晶設備的有效使用壽命，使用者在操作過程中也應注意以下注意要點：
1、結晶設備銅板彎月面不鍍層。為減少彎月面區域缺陷的產生，剛開始采取急案薄彎月面鍍層厚度的方法，但效果不明顯，后采取了彎月面區域不鍍層，在其他區域提高鍍層強度的方法。該法在實際采用后，彎月面區域僅偶爾發生微裂紋缺陷，避免了銅板鍍層龜裂和脫落缺陷，減少了銅板鍍層缺陷產生的表面縱裂，杜絕了裂紋漏鋼事故。
2、優化銅板冷卻水縫設計，將銅板冷卻水縫開始位置改變為距上口50mm，倒角長度減少到5mm，以減輕距彎月面區域冷卻產生紊流，解決容易產生熱量積累的問題。
3、提高設備的對中精度。由于結晶器寬面倒錐度誤差大達到了0.8mm，需要采用結晶設備返廠維修、地腳螺栓加墊片調整等方法，以解決結晶設備寬面倒錐度誤差過大問題，現在用保證結晶設備與彎曲段的對中誤差不大于±0.3mm，發現誤差時，立即停機調整或更換磨損超標的結晶設備。
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