結晶設備廠家區分兩種結晶方法
反應結晶是指氣體與液體或液體與液體之間進行化學反應產生難溶或不溶固相物質的過程，反應結晶法可以使一些易生成沉淀的物質與其它化合物分離，從而達到純化的目的。反應結晶設備常用于產品的分離提純，結構簡單、能耗低，而且結晶粒度分布均勻，可按要求生產純度較高的大晶，晶粒均勻易于過濾，對產品的質量是一個很大的提高。
反應結晶設備廠家為大家介紹一下重結晶法以及升華結晶法的主要區別：
1、重結晶法：將晶體溶于溶劑或熔融以后，又重新從溶液或熔體中結晶的過程。又稱再結晶。重結晶可以使不純凈的物質獲得純化，或使混合在一起的鹽類彼此分離。重結晶的效果與溶劑選擇大有關系，好選擇對主要化合物是可溶性的，對雜質是微溶或不溶的溶劑，濾去雜質后，將溶液濃縮、冷卻，即得純制的物質。混合在一起的兩種鹽類，如果它們在一種溶劑中的溶解度隨溫度的變化差別很大，例如硝酸鉀和氯化鈉的混合物，硝酸鉀的溶解度隨溫度上升而急劇增加，而溫度升高對氯化鈉溶解度影響很小。則可在較高溫度下將混合物溶液蒸發、濃縮，首先析出的是氯化鈉晶體，除去氯化鈉以后的母液在濃縮和冷卻后，可得純硝酸鉀。重結晶往往需要進行多次，才能獲得較好的純化效果。
2、升華結晶法：應用物質升華再結晶的原理制備單晶的方法。物質通過熱的作用，在熔點以下由固態不經過液態直接 轉變為氣態，而后在一定溫度條件下重新再結晶，稱升華再結晶。1891年R.洛倫茨(Lorenz)利用升華再結晶的基本原理生長硫化物小的晶體。1950年D.C. 萊諾爾茲(Reynolds)以粉末狀CdS為原料用升華再 結晶方法制備了3X3火6mm的塊狀CdS晶體。1961 年W.W.培皮爾(PIPer)用標準升華再結晶的方法 生長了直徑為13mm的CdS單晶。升華再結晶法已成 為生長H一硯族化合物半導體單晶材料的主要方法 之一。 物質在升華過程中，外界要對固態物質作功，使其 內能增加，溫度升高。為使物質的分子氣化，單位物質 所吸收的熱量必須大于升華熱(即熔解熱和氣化熱之 和)，以克服固態物質的分子與周圍分子的親合力和環 境的壓強等作用。獲得足夠能量的分子，其熱力學自由 能大大增加。當密閉容器的熱環境在升華溫度以上時， 該分子將在容器的自由空間內按布朗運動規律擴散。如 果在該容器的另一端創造一個可以釋放相變潛熱(即相 變過程中單位物質放出的熱量)的環境，則將發生凝華 作用而生成凝華核即晶核。在生長單晶的情況下，釋放 相變潛熱，一般采用使帶冷指的錐形體或帶冷指的平面 處于一定的溫度梯度內，并使尖端或平面的一點溫度 低，此處形成晶核的幾率大。根據科賽爾結晶生長理 論，一旦晶核形成，新的二維核將沿晶核周邊階梯繼續 進行排列，當生長一層分子后，在其平坦的結晶面上將 有新的二維核形成，進而生成另一層新的分子層。決定 晶體生長的3個基本要素是表征系統自由能變化的臨界 半徑、二維核存在的幾率和二維核形成的頻度。升華再 結晶法可用于熔點下分解壓力大的材料，如制備CdS、 ZnS、Cdse等單晶。其缺點是生成速率慢，生長條件 難以控制。
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